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Typical Characteristics
1.2
V GS = V DS
1.15
I D = 250 μ A
1.0
I D = 250 μ A
1.10
1.05
0.8
1.00
0.6
0.95
0.4
-80
-40 0 40 80 120 160
200
0.90
-80
-40
0
40
80
120
160
200
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
Figure 11. Normalized Gate Threshold Voltage vs
Junction Temperature
40000
C iss
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
Figure 12. Normalized Drain to Source
Breakdown Voltage vs Junction Temperature
10
I D = 80A
10000
1000
C rss
C oss
8
6
4
V DD = 20V
V DD = 15V
V DD = 25V
2
f = 1MHz
100
0.1
V GS = 0V
1
10
50
0
0
50
100
150
200
250
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE ( V )
Figure 13. Capacitance vs Drain to Source
Voltage
Q g , GATE CHARGE(nC)
Figure 14. Gate Charge vs Gate to Source Voltage
FDB8441 Rev.A2
6
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